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首頁晶振系列585石英晶體振蕩器,西迪斯傳呼機晶振,溫補晶振

585石英晶體振蕩器,西迪斯傳呼機晶振,溫補晶振

產品型號：61525790
頻率：5.0MHz~52.0MHz
尺寸：7.0*5.0mm
產品介紹：具有溫度補償作用,高低溫度穩定性:頻率精度高0.5 PPM-2.0 PPM,工作溫度范圍:-30度至85度,電源電壓:1.8V-3.3V之間可供選擇,產品本身具有溫度電壓控制功能,世界上最...

585石英晶體振蕩器,西迪斯傳呼機晶振,(TCXO)溫補晶振產品本身具有溫度補償作用,高低溫度穩定性:頻率精度高0.5 PPM-2.0 PPM,工作溫度范圍:-30度至85度,電源電壓:1.8V-3.3V之間可供選擇,產品本身具有溫度電壓控制功能,世界上最薄的晶振封裝,頻率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因產品性能穩定,精度高等優勢,被廣泛應用到一些比較高端的數碼通訊產品領域,GPS全球定位系統,智能手機,WiMAX和蜂窩和無線通信等產品,符合RoHS/無鉛.

CTS晶振金橋銅業跨接線的截面積大小性能參數	型號 585
的頻率依據	5 – 52 MHz
電源線電壓值	2.8V,3.0V,3.3V,5.0V
概率穩定性高度公	±0.5ppm,±1.0ppm,±1.5ppm,±2.0ppm,±2.5ppm
本職工作室內溫度領域	-10°C to +60°C -20℃to~+75℃ -30℃to~+85℃ -40℃to~+85℃
等效并聯電阻值	100 Ohms maximum,80 Ohms maximum,60 Ohms maximum
過載電容（電容器）	15pF, Series standard
獎勵熱效率	10 μW typical, 100 μW maximum
退化@ + 25°C	3.0 pF typical, 5.0 pF maximum
隔絕電阻功率(@整流100 v)	500M Ohms minimum
儲放攝氏度范圍內	-55°C to +125°C

石英是由硅原子和氧原子組合而成的二氧化硅（Silicon Dioxide, SiO2）, 以32點群的六方晶系形成的單結晶結構﹝圖一﹞.單結晶的石英晶體結構具有壓電效應特性, 當施加壓力在晶體某些方向時, 垂直施力的方向就會產生電氣電位. 相對的當以一個電場施加在石英晶體某些軸向時, 在另一些方向就會產生變形或振動現象. 掌握單結晶石英材料的這種壓電效應, 利用其發生共振頻率的特性, 發揮其精確程度作為各類型頻率信號的參考基準, 就是水晶震蕩器的設計與應用. 因為石英晶體具有很高的材料Q值,所以絕大部份的頻率控制組件,如共振子及振蕩器,都以石英材料為基礎. 以石英為基礎的頻率控制組件可以依其壓電振動的屬性, 可以分為體波(bulk wave)振動組件及表面聲波(surface acoustic wave)振動組件. 體波振動組件如石英晶體共振子, 石英晶體濾波器及石英晶體振蕩器, 表面波振動組件如表面波濾波器及表面波共振子. 當石英晶體以特定的切割方式, 以機械加工方式予以表面研磨, 完成特定的外型尺寸就是通稱的石英芯片(quartz wafer 或 quartz blank ).

將這個石英芯片放置在真空還境中, 于表面鍍上電極后,再以導電材料固定在金屬或是陶瓷基座上, 并加以封裝, 就成為一般所謂的石英晶體共振子( quartz crystal resonator ). 利用石英共振子在共振時的低阻抗特性及波的重迭特性, 用鄰近的雙電極, 可以做出石英晶體濾波器. 將石英振蕩子加上不同的電子振蕩線路, 可以做成不同特性的石英振蕩器. 例如: 石英頻率振蕩器(CXO), 電壓控制石英晶體振蕩器(Voltage Controlled Crystal Oscillator, VCXO), 溫度補償石英晶體振蕩器(Temperature Compensated Crystal Oscillator, TCXO), 恒溫槽控制石英晶體振蕩器(Oven Controlled Crystal Oscillator, OCXO)…等. 相對于體波諧振的是表面聲波的諧振. 將石英晶體表面鍍以叉狀電極(inter-digital-transducer, IDT)方式所產生的表面振蕩波, 可以制造出短波長(高頻率)諧振的表面聲波共振子(SAW Resonator)或表面聲波濾波器(SAW Filter).

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